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                国家存储器基地项目二期开工 规划月产能20万片

                2020-12-08 17:46:00
                技术管理员
                原创
                887

                观察者网注↑意到,受上述消息影响,今天A股早盘,光刻胶、半导体、国产芯片等板块①纷纷走强。个股方面,瑞芯微、北方华创、中微公司、北京君正、华特气体、华峰测控等集∩成电路概念股均大幅上涨。

                A股半导体板块今日股价信息

                一期主要实现技术突破◥

                紫光集团介绍,长江存储国家☆存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路◣基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片︻工厂,总投资240亿美元。

                其中,项目一期于『↘2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产。

                在开工仪√式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国表示,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存●储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

                在64层3D NAND闪存量产7个月后,长江存储今年4月宣布ξ新的研发进展,其跳过96层,成功研制出业内已知型号产品中最高单位面积存储密♀度,最高I/O传输速度和最高单ξ 颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。

                谈及量产时间,长江存储当时向观察者网◥表示,配合前述产能,128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。

                2019年9月,长江存储↘核心厂区   图片来源:长江存储▓官网


                西南证券6月21日分析指出,长江存储一期主要实现技术突破,并建成10万片》月产能,计划将于2020年底满产,考虑到国外厂商扩产情况,届时←长江存储市全球占率将达5%左右。

                “2018年长江存储突破32层3D闪存,与国外◣差距3-4年;2019年其实现64层技术量产,与国外差距缩╱小至2年;今年4月,长江存储128层QLC 3D闪存研制成功,若128层年底实现量产,则与三星、海力士、 美光等国外厂商技术差距♂缩小至1年,一期的技术突破任务已基△本完成。”该券商分析称。

                华创证券分析指出,存储器是信息系』统的基础核心芯片,最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺,也是〓中国进口金额最大的集成电路产品。近些年内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨,根源在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。国∏产化将降低国内半导体产品成本,并提升上游设备公司订单。

                6月9日,基于二季度数据▓,SEMI(国际半导体产业协会)调整2021年全球晶圆厂设备开支规模的预测值,由此前预估的657亿美元上调至创纪录的677亿美元,预计同比增长率为24%。其中,存储器工厂的设备开支规模最大,预计达到300亿美元。

                前述券〓商统计数据显示,截至今年6月20日,国内设备厂商在长江存储中标数量排名依次为:北方华创(中标56台)、屹唐(46)、中微公司(38)、盛美半导体(18)、华海清科(11)、精测电子(8)、沈阳拓荆(5)、中科飞测(3)、睿励(2),覆盖刻蚀、沉积、检测、清洗、CMP多个领域。

                三星、海力卐士纷纷扩产

                事实上,目前全球闪存市场仍高度集中且被国外╳厂商垄断。2020年一季度,三星、铠侠( 东芝)、 西部数据、美光、海力士、 英特尔等在全球闪存市场合计占有率◇超99%。

                数据来源:TrendForce

                3月底,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的调查显示,虽然新冠疫情蔓⌒延,使得2020年第一季度的终端产品出货动能格外疲弱,但在闪存(NAND Flash)领域,由于2020年全年供给收缩,加上各大供应商Ψ 资本支出保守,第一季NAND Flash均价在淡季仍上涨约5%。

                展望第二季度,该机构指出,北美及中⊙国市场数据中心的买方态度仍相当积极,企业级固态硬盘(Enterprise  SSD)也成为所有应用类别中缺货态势最为明显的产品。由于Enterprise SSD占整体NAND Flash出货比重持续→提升,因此价格的强劲表现也带动第二季整体NAND Flash均价将上涨至♀少5%。

                数据来源:TrendForce

                而随着“宅经济”推动对存储需求的增加,加之价格上○涨,龙头厂商也纷纷开始扩产。

                6月1日,路透社报道,三星电︽子宣布,将扩大其在韩国平泽市(Pyeongtaek)的NAND闪存芯片生产能力,以押注未来对个人计算机和服务器的需求,因为¤新冠病毒促使更多人在家工作。

                报道指出,三星计划在明年下半年大规模生产该芯片,新增的产能将有助于满足对5G 手机和其他设备的需求◣。分☆析师预计,三星此次投资额将在7万亿韩元至8万亿韩元(约合65亿美元)之间。

                7个月前,三星宣布启动西安闪ω存芯片(NAND)项目二期第二阶段80亿美元(约合№人民币563亿元)投资。项目建成后将新增产能每月13万片,使西安成为全球规模最大的闪存芯片制造基地。

                与此同时,据DIGITIMES今年4月报道,SK海力士※将在韩国M15工厂增加NAND Flash产能。

                报道指出,之前因为市场供⊙过于求,SK海力士把2019年NAND Flash晶圆较2018年减少10%以上,这也导致其产能爬坡速度有所减缓,不过在三星投资加速刺激↑下,SK海力士或也】在考虑提高增产速度。

                观察者网专栏作者铁流此前分析,由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断,特别是韩国企业拥有非常高的市场份额,这直接导致存储芯片◤价格很容易受到垄断企业决策影响……长江存储在64层NAND上取得突破,未来将有效缓解了在NAND上单一依赖进口供应的局面。


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