如果说处ω　理器等领域，中国在半导体行业还有些存在感，那么存储市场就几乎为零了。现在，一家中■国厂商，发』布了第一颗 DDR4规格的内存条。

“砸“出来的突破

长江存储、合肥长鑫与福建晋华，是中国较为突出的三家存储芯片企业，长江存储主攻NAND也︾就是闪存，长鑫与晋华则是DRAM（动态随机存取存储器）也就是我们平时所说的内存条。

2月26日，长鑫存储正式发」布了其DDR4、LPDDR4X 内存芯片，以及DDR4内存条、几款产品均符合国际通行标准规范。

此次长鑫推出的内存芯片々，主要用于主流PC市场，规格方面，长鑫DDR4内存芯片有两款可以选择，单颗容量为8GB(1GB)，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃，提供78ball、96ballFBGA两种封装▆样式。

LPDDR4X内存芯片在规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，200ballFBGA封装。

除了芯片】以外，长鑫还推出了成品内存条，采用自家△的原厂内存颗粒，容量为8GB，DDR4，频率为2666Hz。

当然，这还不意味着你马上就能买到国产的内存条，目前产ㄨ品还未上架，长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询，预计近期＠ 上市。

尽管在行业研发上DDR4不算是№最先进的技术，但是在消费市场，DDR4内存还是主流，频率上也处在▼平均水准。

合肥▽长鑫于2016年由兆易创新、中芯国际前→CEO王宁国与合肥产投签订协议成立，主要股东为㊣合肥市政府与北京兆易创新，目前，长鑫存储员工总数超过2700人，技术人员超¤过500人。CEO朱一明也是兆易创新的创始人，后者是全球最大的NORFlash供应商。

长鑫的建立和规划，是半导体行卐业典型的“举国体制”。

2017年9月，国家集成电路产业投资基金一期宣布入股国产存储芯片♀厂商兆易创新，取得约11%股权，成为了其第二大股东。

次月，兆易创新发布公告，宣布与合肥产投签署合作协议，研发19nm制程的12英寸晶圆DRAM，预算◥为人民币180亿元，兆易创新出资20%，预计在2018年底前研发成功，实现产品良率不低于10%。

最终19nm姗姗来迟。2019年，在安■徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长∮鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，整个制造基地项目总投资超过2200 亿元，长鑫也正式宣布自主研发的基于19nm工艺制造ㄨ的8GbDDR4芯片正式量产。

2019年12月，长鑫存储技术有限公司公布▓其最新的DRAM技术路线图，将采用19nm工艺生产4Gb和8GbDDR4，目标在2020年一◥季度实现商业化生产。目前长鑫月产能约为2万片。另外，长鑫存储计划再建︻两座DRAM晶圆厂。

韩国半导体在各种超大规模的投资和收购中逐渐≡成长，我国的半导体行⊙业也走在这样的路上。

靠“买买买”追赶技术的长鑫

目前，全球DRAM市场基本上被美韩瓜分，三星、SK海力士、美光的全球市场份额合计在95%左右，而中〗国庞大的需求，只能依赖进口》解决。

数据显示，从2008年开始，我国集成电路进口额超过原油，连续11年成为我国第一大宗的进口商品；2019年1~9月存储芯片进口量为2.5亿台，累计增长9.5%，进口金额▆为1139亿元，累计增长4%。

2018年内＠ 存条成为理财产品的情景还历历在目，要想稳定市场价格，打破垄断，就需要国产存储器厂商们提升技术实力。

但是，半导体行业后来者入局难，除了需要投入高额的研发■费用以外，专利ξ也是关键的门槛。行业巨头完全可以通过专利来打击那些新入局的玩家，毕竟大量的专利掌握在大公司手里。

福建晋华就因ξ　为专利问题吃了大亏，不仅被禁≡售，DRAM的研发计划也被叫停。

而长鑫最关键的一波操作，是2019年，吃下了已经破产的原欧洲存储芯片巨头奇梦达的大『量专利。

2019年5月，长鑫CEO朱一明在演讲中第一次披露了公司的专利情况，他表示长鑫从已经破产的奇梦达处获得了大量↘专利，并且在这个基础上进行了创新，专利申▂请数量达到了16000个，还有1000多万份、约2.8TB有关DRAM的技术文件。

2019年底，长鑫又∑宣布其与WiLANInc.合资子公司PolarisInnovationsLimited有关达成专利「许可协议和专利采购协议。

依据专利许可协议，长鑫存储从Polaris获得奇梦达（Qimonda）大量DRAM 技术专利的实施许可←，包括与DRAM、FLASH存储器、半导▅体工艺、半导体制造◥、光刻（lithography）、封装、半导体电路和存储器接口（MemoryInterfaces）相关的技术●，其中包括约5000种美国专利♀和申请。

专利不仅仅是为了提升技术实力，更是为了绕过专利的封锁围堵。

当然，我国半导体行业依然是处在追赶阶段。目前，长鑫存储把将〒奇梦达的46nm工艺改进到了10nm级别，但制程︼也有高低之分。

如果用制程节点表示，1xnm制程∮相当于16~19nm，1ynm制程相』当于14~16nm，1znm制程相当于12~14nm，此外行业还规划了1α、1β和1γ节点。

其中，长鑫的10nm存储芯片属于第一代的1xnm，而美光与SK海力士已经开始量产第二代1ynm制程。今年初的CES上，美光※就展示了基于1ynm的12GLPDDR5内存，由小米10首发，同时美光也表示今年晚些时候会推出1znm级的产品。

而三星电子则是正式宣布已开◢始量产用于旗舰级手机的16GBLPDDR5内存，还计划在今年下半年量产↘基于10nm级（1z）处理技术的16GBLPDDR5内存。

除了制程以╱外，产能也需要提升。

长鑫㊣　第一期投资约为72亿美元，预计产能就有12.5万片晶圆/月。当然这是理想结Ψ 果，长鑫预计2019年底能达到4万片晶圆/月，达到全球产能的3%。作为对比，三星等巨头单月产量能达到130万片，还有较大差距。

2020年，回暖∏的存储市场

DRAM是计算设备的核心组件之一，由于庞大的需求量，DRAM一直是半导体行业出货的主力军。

ICInsights《2020~2024年▽全球晶圆产能报告》显示，DRAM在2019年预期销售金额将下降38%，但仍将↘成为所有半导体产品中销售金额最大的产品，占总半导体销售总金额17%，市场将达620亿ζ　美元规模。

销售额下降主要是∑因为2018年价格的飞涨，这一年也是自1990年以来，DRAM销售※额首次超过微处理器（MPU）的总销▲售额。

2018年○前后热炒内存，是由于上游闪存颗粒严◣重缺货，导致存储芯片难产，价格因此疯涨。而厂商们嗅到了︽商机，因此开始↑扩充产能，以填补市场空缺。

但随后市场开始低迷，产能过剩，存储芯片价格又开Ψ 始走跌。

目前，市场开始稳定¤下来，一些机构预热今年市场将回温。ICInsights 的报告∞就指出，部分存储芯片厂重启产能扩充计划，预计2020年及2021年全球新增▆晶圆产能将大幅增加，进入高速扩张期。

任天堂、索尼、华为、苹果存储芯片的主要供应商台湾旺宏电☆子（Macronix）也预测，2020年存储芯片价格将反弹，市场需求也将稳定复苏。

除了价格周期以外，技①术的更新换代也将到来。

回顾历史，2000年推出了DDR，2003年DDR2，2007年DDR3，2014年DDR4。按照规划，2020年开始DDR5会逐渐走入消费市场，首先是移动设备※，然后是PC。

此外，5G和云的持续发展，也是存储市场回暖的一个推手。

5G网络的推进，也会促进LPDDR5的应√用与普及，高速的网络需要高速的存储性能与之配套。美光科技移动产品事卐业部市场副总裁ChristopherMoore就表示，5G网络的部署将大大促进LPDDR5的应用与⌒普及。

此外，服务器端、云存储、汽车等领域，都将逐㊣　渐采用DDR5规格，用来满足日益增长的性能需求。到2022年前后，DDR5/LPDDR5有望超越DDR4成为市场︾主流。

长鑫存储的规划图显示，公司下★一代将推出第二代10nm（17nm）技术，DDR5也在下一期规划当中。

总之，今年是卐存储市场开始回暖的一年，对于中国存储来说，长鑫的DDR4是一个节ξ点，标志着中国的DRAM在应用市场追上了主流水〓平。不过，技术上的差距仍然肉眼可见。

未来几年，随着PC市场也开始过渡◤到DDR5。当这一规格成为主流后，中国厂商们无疑将会面对的更☉大的挑战。